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隨著以美國(guó)為首的西方勢(shì)力對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體材料的技術(shù)制約。半導(dǎo)體材料行業(yè)開(kāi)始發(fā)揚(yáng)國(guó)產(chǎn)國(guó)造，自力更生的“南泥灣精神”，朝著精細(xì)化、高端化、尖端化自給自足的方向發(fā)展。半導(dǎo)體材料檢測(cè)是對(duì)半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)進(jìn)行分析測(cè)試的技術(shù)。由于半導(dǎo)體材料種類(lèi)繁多，加工工藝復(fù)雜，形態(tài)各異，技術(shù)難度高，這就需要我們通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)定，真實(shí)的反映半導(dǎo)體材料質(zhì)量情況，掌握其關(guān)鍵參數(shù)的生成工藝，從而指導(dǎo)研發(fā)技術(shù)的更新迭代。
一、常見(jiàn)半導(dǎo)體材料檢測(cè)種類(lèi)
1、濕電子化學(xué)品檢測(cè)種類(lèi)
（1）酸堿類(lèi)：高純鹽酸、高純硫酸、高純硝酸、高純氫氟酸、高純冰Z酸、高純草酸、電子級(jí)復(fù)水、電子級(jí)過(guò)氧化氫、氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液、電子級(jí)磷酸；
（2）蝕刻類(lèi)：鋁腐蝕液、鉻腐蝕液、鎳銀腐蝕液、硅腐蝕液、金蝕刻液、銅蝕刻液、顯影液、剝離液、清洗液、ITO蝕刻液、緩釋劑、BOE；
（3）溶劑類(lèi)：甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、四甲基氫氧化銨、甲苯、二甲苯、三氯乙烯、環(huán)已烷、N-甲基吡略烷酮、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚醋酸酯等。
2、光刻膠及配套試劑檢測(cè)種類(lèi)
光刻膠、負(fù)膠顯影液、負(fù)膠漂洗液、負(fù)膠顯影漂洗液、正膠顯影液正膠稀釋劑、邊膠清洗劑、負(fù)膠剝離液、正膠剝離液等。
3、電池材料檢測(cè)種類(lèi)
（1）負(fù)極材料：碳材料、非碳負(fù)極材料、石墨負(fù)極材料、鋰電池負(fù)極材料、硅負(fù)極材料、鋰離子負(fù)極材料、硅碳負(fù)極材料、碳素負(fù)極材料、瀝青負(fù)極材料等；
（2）正極材料：鉆酸鋰、錳酸鋰、磷酸鐵鋰、三元材料、鎳，鉆，錳酸鋰、鎳錳酸鋰、正極材料鎳鉆錳酸鋰等；
（3）電解液：鋰離子電池用電解液、鋰原電池用電解液、六氟磷酸鋰、六氟磷酸鋰電解液等；
（4）電池/電解液添加劑：成膜添加劑、導(dǎo)電添加劑、阻燃添加劑、過(guò)充保護(hù)添加劑、改善低溫性能的添加劑、多功能添加劑等；
（5）電池隔膜：鋰電池隔膜、高性能電池隔膜、電池陶瓷隔膜等。
4、電子元器件化學(xué)品檢測(cè)種類(lèi)
硝酸鉍、硫酸鋁、硝酸鋁、硝酸鉀、溴化鈣、重鉻酸銨、重絡(luò)化鉬、氯化、三氯化梯、磷酸、硅酸鉀鈉、（硅鋁、硫酸鎂、硝酸銅、硝酬鍶、氟化氫銨、碳酸、氧化銷(xiāo)、氟化鎂、銳酸鈉、氧化擦、氧化鋼等。
5、電子工業(yè)用氣體檢測(cè)種類(lèi)
甲烷、三氯化硼、三氧化氬、六氟化硫、八氧環(huán)丁烷、六氟乙烷、四氟化碳、氯化氫、一氧化碳、笑氣、硅烷等。
6、印刷電子化學(xué)品檢測(cè)種類(lèi)
印刷線(xiàn)路板材料及配套化學(xué)品、電子油墨、絲網(wǎng)印刷材料等。
7、電子膠類(lèi)檢測(cè)種類(lèi)
SMT貼片紅膠、LED貼片硅膠、UV膠、AB膠、填充膠、密封膠、導(dǎo)電銀膠、硅膠等。
8、電子級(jí)水檢測(cè)種類(lèi)
超純水、純化水等。
9、其他電子材料檢測(cè)種類(lèi)
CMP拋光材料、靶材、導(dǎo)電聚合物、液晶聚合物、聚酯薄膜、抗靜電材料、抗蝕劑、封裝材料、LED/OLED材料、發(fā)光材料、光學(xué)薄膜、平板膜、TFT-LCD面板及模組構(gòu)成材料、電子紙、硅材料、太陽(yáng)能電池膜等。
二、檢測(cè)項(xiàng)目
半導(dǎo)體材料檢測(cè)的常見(jiàn)性能參數(shù)主要為電學(xué)性能、光學(xué)性能、限用物質(zhì)等的檢測(cè)。
電學(xué)性能主要檢測(cè)電阻率、霍爾系數(shù)、磁阻等性能；光學(xué)性能主要檢測(cè)器光電導(dǎo)、光吸收等性能。而半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵性能檢測(cè)指標(biāo)主要為禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率（載流子即半導(dǎo)體中參加導(dǎo)電的電子和空穴）、非平衡載流子壽命、位錯(cuò)密度等。除此之外，我們還可以檢測(cè)其雜質(zhì)含量、雜質(zhì)缺陷能級(jí)等來(lái)了解材料的純度、補(bǔ)償度。通過(guò)x射線(xiàn)、金相分析來(lái)了解半導(dǎo)體材料晶體結(jié)構(gòu)的層錯(cuò)、位錯(cuò)密度、夾雜和孿晶等情況。
三、檢測(cè)方法
目前半導(dǎo)體材料檢測(cè)分析的重點(diǎn)逐漸轉(zhuǎn)向?qū)Π雽?dǎo)體薄膜，特別是薄膜的表面、異質(zhì)結(jié)界面性質(zhì)研究和對(duì)薄膜材料的組成和結(jié)構(gòu)分析。新型測(cè)試分析方法如結(jié)電容技術(shù)，激光光譜技術(shù)，俄歇電子能譜、二次離子質(zhì)譜和電子顯微分析技術(shù)等的建立與不斷完善，為深入研究雜質(zhì)和缺陷在半導(dǎo)體材料中的行為、雜質(zhì)與缺陷相互作用、表面、界面質(zhì)量、混晶組份以及結(jié)構(gòu)缺陷等提供了有力手段，促進(jìn)了半導(dǎo)體材料及物理學(xué)的發(fā)展。
關(guān)于半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)及方法，你還知道哪些？歡迎大家更正、補(bǔ)充。
